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이 연구에서는 DC스퍼터링(DC Magnetron Sputtering)방식으로 제작 된 MgO 터널 장벽층을 갖는 자기터널접합을 급속 열처리 방식(Rapid Thermal Annealing)을 이용하여 열처리 공정 중의 구조적, 조성적 변화 및 스핀 수송 특성의 변화를 연구하였다. 본 연구를 통하여 급속 열처리 방식이 기존 일반적인 열처리 방식에 비하여 높은 터널링자기저항비를 얻을 수 있다는 것을 발견하였다. 또한, 열처리 시간의 단축을 통하여 Mn, Ta, Ru 등의 내부물질의 인접한 층으로의 확산을 억제할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 유의미한 데이터를 수집하기 위하여 다양한 열처리 온도 조건과 시간조건에서 급속 열처리를 실시 한 후 자기 터널 접합의 전, 자기적 특성을 관찰하였다. 이러한 특성 변화는 향후 보다 우수하고 안정적인 자기적 특성과 열적 안정성을 갖는 자기 터널접합 제작을 위해 다양하게 응용될 수 있다고 생각된다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 일반적인 자기터널접합의 열처리
Ⅲ. 급속 열처리로를 이용한 자기터널접합의 열처리
Ⅳ. 실험결과 및 분석
Ⅴ. 결론
References
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - C. Heide / 2000 / / Europhys. Lett 50 : 271 ~
2. [학술지(정기간행물)] - W. H. Butler / 2001 / / Phys. Rev. B 63 : 054416 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Mathon / 2001 / / Phys. Rev. B 63 : 220403 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. Ikeda / 2008 / / Appl. Phys. Letts 93 : 082508 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. S. Williams / 1983 / Solid phase epitaxial regrowth phenomena in silicon / Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 209-210 (Part 1)
2. [학술지(정기간행물)] - W. H. Butler / 2001 / / Phys. Rev. B 63 : 054416 ~
3. [학술지(정기간행물)] - Mathon / 2001 / / Phys. Rev. B 63 : 220403 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. Ikeda / 2008 / / Appl. Phys. Letts 93 : 082508 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. S. Williams / 1983 / Solid phase epitaxial regrowth phenomena in silicon / Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 209-210 (Part 1)
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