MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

Low Temperature ( LT ) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 ( The Growth and Its Characteristics of Low Temperature ( LT , 250˚C ) GaAs Epilayer )

김태근 ,  박정호 ,  조훈영 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .09

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  홍치유 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Si 위에 성장시킨 GaAs 에피층의 Defect Level에 대한 수소화 ( Hydrogenation on Defect Levels of GaAs Epilayer on Si )

배인호 ,  강태원 ,  홍치유 외 4명

전자공학회논문지

1990 .01

Growth and Electro-Optical Characteristics of CdSe / GaAs Epilayers Prepared by Electron Beam Epitaxy

D. I. Yang ,  Y. J. Shin ,  C. H. Lee 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

GaAs 결정성장

민석기

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

I/f Noise in GaAs MESFETs Grown by Molecular Beam Epitaxy

송명호 ,  이헌호 ,  이윤상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .05

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

The Characterization of ZnSe / GaAs Epilayers Grown by Hot wall Epitaxy

Y. J. Shin ,  C. J. Youn ,  H. K. Shin 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광

조신호

전기전자재료학회논문지

2002 .01