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Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1997 .01
The Electrical and Optical Charateristics of Carbon Doped GaAs Epilayers Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Temperature Dependence of Photoluminescence Peak form Carbon-Doped GaAs Epilayers Grown on High Miller Index GaAs Substrates
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광
전기전자재료학회논문지
2002 .01
저압 MOCVD로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성
전기전자재료학회논문지
2002 .01
고농도로 탄소 도핑된 높은 밀러 지수 GaAs
한국재료학회지
2003 .01
고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1999 .04
MOCVD를 이용한 GaAs/Si 태양전지의 제작과 특성에 관한 연구
한국태양에너지학회 논문집
1998 .09
Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
MOCVD를 이용한 Si(001) 기판 위에 GaAs 박막 성장 및 분석
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2018 .11
PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
한국재료학회지
1993 .01
Crystallographic Orientation Dependence of Carbon Incorporation into GaAs Epilayers
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
GaAs Technology
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
A 0.85-μm VCSEL Array on a GaAs ( 311 ) B Substrate Grown by MOCVD
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
Low Temperature ( LT ) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 ( The Growth and Its Characteristics of Low Temperature ( LT , 250˚C ) GaAs Epilayer )
전자공학회논문지-A
1994 .09
MOCVD를 이용한 Heteroface p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs 태양전지의 개발 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs Solar Cell Grown by MOCVD )
전자공학회논문지-A
1991 .01
GaAs 화합물 반도체결정 성장기술 ( GaAs Compound Semiconductor Crystal Growing Technology )
대한전자공학회 학술대회
1987 .01
MOCVD를 이용한 GaAs / AlGaAs계 Self-Aligned Structure Laser Diode 제작 및 특성 분석 ( GaAs / GaAs Self-Aligned Structure Laser Diodes Fabrication by MOCVD and Its Characterization )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
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