자발형성 InAs/GaAs 양자점의 MBE성장과 특성

박창영 ,  김종민 ,  이용탁

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

A Study of Structural and Optical Properties of InAs Quantum Dots on GaAs

장윤경 ,  김현수 ,  성태연 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

InAs/GaAs Self-Assembled Quantum-Dot Infrared Photodetectors

김의태

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

Growth of high quality InAs quantum dots on GaAs substrates

김준관 ,  전훈하 ,  서언미 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

A study on the photovoltaic device using InAs multi-quantum dot grown by molecular beam epitaxy

HwangBoe ,  Sue-Jung ,  Jang 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

원자층 에피탁시 성장시킨 InAs/GaAs 양자점의 고온 거동 및 열적 안정성

김형석 ,  서주형 ,  설재복 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

InAs/GaAs 양자점 태양전지의 수소 플라즈마 처리 효과에 관한 연구

김호성 ,  박문호 ,  김지훈 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

수소 플라즈마 처리에 의한 InAs/GaAs 양자점 태양전지 셀 특성 변화 연구

박문호 ,  김호성 ,  박성준 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

AlGaAs/ GaAs 초격자 구조를 가지는 InAs Quantum dot의 광학적 성질

최현광 ,  이선연 ,  임재영 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

MBE를 이용한 GaAs Quantum Well FET 제작 ( Fabrication of GaAs Quantum Well FET using MBE )

조승기 ,  주영도 ,  임병호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Effects of Rapid Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of InAs / GaAs Self-Assembled Quantum Dots

Shin Ho Cho ,  Chan Kyung Hyun ,  Eun Kyu Kim 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Field Effect Transistor of Vertically Stacked, Self-assembled InAs Quantum Dots with Nonvolatile Memory

Shuwei Li ,  Kazuto Koike ,  Mitsuaki Yano

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2002 .09

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

Growth Modeling of InAs Colloidal Quantum Dots in Continuous Process

박성민 ,  김태완 ,  정소희

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2020 .10

Selectivity Formed InAs Quantum Dot Arrays for Device Application

Cheol Koo Hahn ,  Young Ju Pa ,  k 외 7명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

상온에서 1.32㎛ 발광을 가지는 InAs 양자점 성장

김종수 ,  김기홍 ,  이동율 외 10명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

Ultranarrow Luminescence Lines from Single InAs Quantum Dots Grown on a GaAs Substrate

Kazuya Asaoka ,  Yutaka Ohno ,  Shige 외 2명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01