개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistors with Super Low Noise Performances of 0.41 dB at 18 GHz

Jin-Hee Lee ,  Hyung-Sup Yoon ,  Byung-Sun Pa 외 5명

[ETRI] ETRI Journal

1996 .06

Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET소자의 광반응 ( Optical Responses of Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET )

김회종 ,  김동명 ,  정해양 외 8명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET소자의 광반응 ( Optical Responses of Al0.3Ga0.7As / GaAs / In0.13Ga0.87As Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET )

김희종 ,  김동명 ,  정해양 외 8명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

OHMIC METALLIZATION BEHAVIOR IN AlGaAs / GaAs MODFET STRUCTURE

S. H. Pa ,  k ,  J. L. Lee 외 8명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Deembedding Effect on fo Extraction for AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs

윤경식 ,  이진희 ,  윤형섭 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Selective wet Etching of GaAs Grown on AlxGa1-xAs and its Mechanism for AlGaAs / InGaAs / AlGaAs Pseudomorphic high Electron Mobility Transistor

문은아 ,  오정우 ,  이종람 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Basic Research on the Growth of GaAs on Si and the Experimental Fabrication of GaAs MODFET

成萬永 ,  林敬文

전기학회논문지

1992 .11

Self-consistent 앙상블 몬테카를로 시뮬레이션에 의한 Submicron AlGaAs/GaAs MODFET에서의 전자 전송특성과 전기적 특성의 해석 ( An Analysis of Electron Transport Properties and Electrical Characteristics in Submicron AlGaAs/GaAs MODFET`s Using a Self-consistent Ensemble Monte Carlo Simulation )

박성호 ,  한백형

전자공학회논문지-A

1992 .05

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Noise Characteristics of Sub-Micron Gate GaAs MESFET's and AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's and the Influence of the Gate Leakage Current on Their Performance

S. J. Cho ,  S. K. Oh ,  J. H. Jung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PHEMT 설계ㆍ제작

이응호 ,  조승기 ,  윤용순 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성

손영진 ,  이봉훈 ,  정문영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in INGaAs Layer

Tae Kyung Yoo ,  Ki Woong Chung ,  안도열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in InGaAs Layer

Tae-Kyung Yoo ,  Ki-Woong Chung ,  Doyoel Ahn 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs

Jong-Won Lim ,  Ho-Kyun Ahn ,  Hong-Gu Ji 외 4명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .06