선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3 Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective area MOCVD growth for 1.3 strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )

김태진 ,  지정근 ,  이정석 외 4명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

선택 영역 MOCVD 성장법을 이용한 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD 제작 ( Selective Area MOCVD Growth for 1.3㎛ Strained InGaAsP / InGaAsP MQW SSC-LD )

김태진 ,  지정근 ,  이정석 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MOCVD에 의한 InGaAs, InGaP 및 InGaAsP필름의 성장 및 조성변화에 대한 수치해석 연구

임익태 ,  김동석 ,  김우승

반도체및디스플레이장비학회지

2005 .01

1.3μm InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain 에 대한 의존성 조사 ( The Influence of Strain on the Characteristic Temperature of 1.3 InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers

Jong In Shim ,  Tae Il Kim

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )

심종인 ,  어영선

전자공학회논문지-SD

2000 .09

홀로그래픽 리소그래픽 시스템의 제작과 MOCVD로 제작된 양자세선 어레이의 PL 분석

김태근 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD

Jong Hee Kim ,  Dae Ho Lim ,  Gye Mo Yang 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Electrical Activity of Si in n-GaN Epilayers Grown by LP-MOCVD

노삼규 ,  이철로 ,  박성은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )

오윤경 ,  정현돈 ,  박게오르기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

High Reflective Coating에 의한 InGaAsP 반도체 레이저의 특성 변화 ( Characteristic Dependences on High Reflective Coating in InGaAsP Laser Diode )

오윤경 ,  정현돈 ,  박게오르기 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD에서 SCH 구조에 따른 소광비 의존성 ( Dependences of the extinction ratio on the SCH structure in 1.55μm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD )

김희곤 ,  심종인 ,  김형래

한국통신학회 기타 간행물

1997 .01

MOCVD TiN FOR HIGH TEMPERATURE PROCESS

Lee ,  Sang-Hyeob ,  Kim 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

1.55mm InGaAsP / InGaAsP MQW EA-MOD에서 SCH 구조에 따른 소광비 의존성 ( Dependences of the Extinction Ratio on the SCH Structure in 1.55mm INGaAsP/InGaAsP MQW EA-MOD )

김희곤 ,  심종인 ,  김형래

대한전자공학회 기타 간행물

1997 .01

Mocvd 에 의한 신기능소자 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

MOCVD에 의한 신기능소자 , 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

InGaAsP/InP이종접합구조의 격자부정합이 Photoluinescence효율에 미치는 영향

이종원

한국재료학회지

1994 .01

InGaAsP / InGaAsP MQW Electro-Absorption Modulator with a High Modulation Depth

박원규 ,  강병권 ,  박형순 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

In-situ MOCVD Cu/MOCVD TiN 형성 공정에 관한 연구

최정환 ,  박상기 ,  이재갑

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01