P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

A Comparative Study of Hot-Carrier Related Phenomena in P and N type Polysilicon Gate PMOSFETs

Kwang Sun Yang ,  Hoon Soo Pa ,  k 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Fabrication of 0.1um Buried Channel and Surface Channel pMOSFETs

Tae Jong Yoo ,  Young Taek Lee ,  Dong Soo Woo 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )

정성익 ,  박종태

전자공학회논문지

1990 .02

In-Situ Boron Doped Polysilicon Gate를 적용한 Dual-Gate CMOS Device의 특성

이종호 ,  주석호 ,  구본제 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET

이영택 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

BF2 이온 주입된 P 다결정실리콘 게이트 PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effect of BF2 Implanted p Polysilicon Gate PMOSFET )

김정태 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )

홍성희 ,  이용수

한국통신학회논문지

1998 .11

δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )

오순영 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

The Effects of Image Charge in the Etching of Gate Polysilicon

신화숙 ,  지경구 ,  정찬욱 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

p+ 다결정 실리콘 게이트를 갖는 p채널 MOSFET의 hot carrier 효과 ( Hot carrier effects of PMOSFET with p+ polysilicon gate )

홍성희 ,  정성익 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

내장된 전송 게이트를 가지는 PMOSFET형 광검출기를 사용한 픽셀의 동작 범위 향상

이수연 ,  서상호 ,  서민웅 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

Intrinsic Polysilicon을 이용한 CMOS 소자 Gate의 특성에 관한 연구 ( A Study on the CMOS Device Characteristics having Intrinsic Polysilicon Gate )

김기홍 ,  안철 ,  박영준

전자공학회논문지-A

1991 .04

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )

허연철 ,  이우형 ,  박병국 외 2명

전자공학회논문지-A

1994 .11

P형 in-situ 도핑 폴리실리콘 막질에 관한 연구

오정섭 ,  이상은 ,  노진태 외 3명

전기전자재료학회논문지

2008 .01