MOCVD Growth and Characterization of -Doped AIGaAs and AIGaAs / InGaAs HEMT Structures

Gye Mo Yang ,  Sang Gyu Pa ,  k 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

InGaAs/AIGaAs 양자선 레이저에서 관찰된 이상 방출 스펙트럼

김경찬 ,  김태근

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .07

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Design of AlGaAs / InGaAs P-HEMT Modulator Driver IC for 10Gbps Optical Communication System

주원재 ,  양성기 ,  백승원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures

S. J. Cho ,  D. S. Shin ,  J. H. Chung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

PCS용 전력 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 P-HEMTs의 제작과 특성

이진혁 ,  김우석 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on InGaAs-GaAs-AIGaAs Asymmetric Double Quantum Wells

고현성 ,  S. J. Rhee ,  J. C. Oh 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

X - 밴드 저잡음 증폭기용 0.25 ㎛ T - 형 게이트 P - HEMT 제작

이강승 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성원 ,  설경선 ,  김경운 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

초고속정보통신용 10Gbps 광 / 전 부품 현황

박형무

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

K-BAND 저잡음 Hemt 증폭기에 관한 연구 ( A Study on Low Noise Hemt Amplifier in K- Band )

윤기호 ,  서종수

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

K-BAND 저잡음 HEMT 증폭기에 관한 연구

윤기호 ,  서종수

대한전자공학회 학술대회

1990 .11