Silicide 소스 / 드래인 기술을 이용한 저 전력 MOSFET 소자의 특성 ( The electrical Properites of Low Power Silicide Source / Drain MOSFET Device )

구경환 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

전력 MOSFET

김종오

전기의세계

1988 .05

니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구

김상엽 ,  송오성

한국재료학회지

2007 .01

전력 MOSFET 소자의 γ선 영향

손주형 ,  김재환 ,  노영환

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2004 .11

니켈실리사이드의 색차분석

정영순 ,  송오성 ,  김득중 외 2명

한국표면공학회지

2005 .02

Formation Temperature Dependence of Thermal Stability of Nickel Silicide with Ni-V Alloy for Nanoscale MOSFETs

A. Tuya ,  S. Y. Oh ,  J. G. Yun 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 ( 1 ) ( On the formation of Ta-Silicides - 1 - )

양희준 ,  최진석 ,  조현춘 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 - 2 - ( On the Formation of Ta-Silicides - 2 - )

양희준 ,  김동원 ,  최진석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

On the formation of Ta-silicides -2-

Hee-Jun Yang ,  Dong-Won Kim ,  Jin-Seog Choi 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

전류 제한 능력을 갖는 전력 MOSFET ( A Power MOSFET with Self Current Limiting Capability )

윤종만 ,  최연익 ,  한민구

전자공학회논문지-A

1995 .10

선택 실리콘 증착에 의해 제조된 Raised Source / Drain MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Raised Source / Drain MOSFET fabricated by Selective Silicon Deposition )

김영옥 ,  박순오 ,  이내인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

소자 크기가 고정된 전력 MOSFET의 최적화

黃圭漢 ,  曺重烈 ,  崔然益

전기학회논문지

1997 .04

Stress Dependence of Thermal Stability of Nickel Silicide forNano MOSFETs

Ying-Ying Zhang ,  Won-Jae Lee ,  Zhun Zhong 외 6명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2007 .01

플로팅 아일랜드 구조의 전력 MOSFET의 전기적 특성 분석

강이구

전기전자재료학회논문지

2016 .01

Deep Trench Filling 기술을 적용한 600 V급 Super Junction Power MOSFET의 최적화 특성에 관한 연구

이정훈 ,  강이구 ,  정은식

전기전자재료학회논문지

2012 .01

Molybdenum and Cobalt Silicide Field Emitter Arrays

Lee ,  Jong-Duk ,  Shim 외 6명

Journal of information display

2000 .01

코발트/니켈 적층구조 박막으로부터 형성된 복합실리사이드

송오성 ,  정성희 ,  김득중 외 1명

한국재료학회지

2004 .01

니켈 실리사이드의 열안정성에 대한 실리카 상부막과 코발트 중간막의 영향

한길진 ,  조유정 ,  김영철 외 4명

반도체및디스플레이장비학회지

2005 .01

이중 확산 MOSFET의 C-V 특성

배동건 ,  정상구 ,  최한묵 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12