C2-LTS System 제작 및 MBE로 성장한 Sn-doped GaAs의 Deep Level ( Fabrication of the C2-DLTS System and Deep Levels In Sn-doped GaAs Grown by MBE )

김문덕 ,  홍치유 ,  강태원

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  홍치유 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

LSI 급 소자 제작을 위한 3 인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구 ( A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs EPITAXIAL Layer Grown by MBE for LSI Application )

이재진 ,  이해권 ,  맹성재 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .07

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MBE를 이용한 GaAs Quantum Well FET 제작 ( Fabrication of GaAs Quantum Well FET using MBE )

조승기 ,  주영도 ,  임병호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

GaAs MESFET에서 DLTS를 이용한 표면 결함 관찰

최경진 ,  이종람

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE 를 이용한 성장조건에 따른 Mg-doped GaN 특성변화 조사

최아리 ,  김도진

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MBE로 성장된 $In_{x}Ga_{1-x}As/GaAs(001)$ 이종접합구조의 격자이완에 관한 연구

김창수 ,  노삼규 ,  임재영 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

DLTS 방법에 의한 $GaAs/Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs$ 이종구조의 물성분석에 관한 연구

이원섭 ,  최광수 ,  최영환

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

DLTS시스템 제작 및 그 응용

정희범 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

MBE로 성장시킨 GaAs/AL0.3Ga0.7As층의 고분해능 투과전자현미경에 의한 연구 ( A High-Resolution Transmission Electron Microscopy Study of MBE Grown GaAs/AL0.3Ga0.7As Layers )

이정용

전자공학회논문지

1989 .08

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01