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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.12
- 수록면
- 71 - 74 (4page)
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소자의 총 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 소자 및 회로 성능을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 총 채널 폭은 2.8um로 같으나 핀 수가 16이며 핀 폭이 55nm인 소자와 핀 수가 14이며 핀 폭이 80nm인 두 종류의 소자이다. MuGFET의 아날로그 회로 성능은 출력저항, 얼리 전압, 전압 이득을 측정하였고 디지털 회로 성능 지수로는 지연 시간을 측정하였다. 소자의 전류-전압 특성으로부터 핀 폭이 작으며 핀 수가 많은 소자가 핀 폭이 넓으며 핀 수가 작은 소자보다 단채널 현상이 우수한 것을 알 수 있었다. 그리고 채널 폭이 좁고 핀 수가 많은 소자가 채널 폭이 넓고 핀 수가 많은 소자보다 아날로그 및 디지털 회로 성능도 우수함을 알 수 있었다.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 및 측정
Ⅲ. 단채널 현상
Ⅳ. 아날로그 특성
Ⅴ. 디지털 특성
Ⅵ. 결론
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