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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 7 - 16 (10page)
- DOI
- 10.14801/jkiit.2015.13.6.7
이용수
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본 논문에서는 차지펌프회로 면적을 크게 줄일 수 있는 새로운 펌프구동 회로를 제안하였다. 제안한 펌프구동회로는 레벨-쉬프트 회로, 비교기, 차지펌프 스위치 회로로 구성되었고 이 중 레벨-쉬프트회로는 본 논문의 용도에 맞게끔 새로이 설계하였다. 제안한 펌프구동회로와 펌핑회로는 Magnachip 0.7um 2-Poly & 3-Metal 5V/30V 고전압 CMOS 공정을 사용하여 Hspice 시뮬레이션 설계 및 검증하였다. 펌핑 회로에 사용된 커패시터의 크기가 1μ ? F인 동일한 조건 하에서 기존의 펌프구동회로보다 본 논문에서 제안한 펌프구동회로를 사용한 경우 차지펌프면적이 약 21%~35% 감소하였으며, 펌프구동회로방식에 따른 펌핑 효율과 소비전력 차이가 거의 없었다. 따라서 본 논문에서 제시한 펌프구동회로가 차지펌프의 기본적인 성능인 효율과 소비전력은 그대로 유지하면서 면적을 줄일 수 있음을 입증하였으며, 칩 생산비용 절감을 기대할 수 있을 것이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 새로운 구조의 차지펌프 구동회로 제안
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 검토 및 토의
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Oi-Ying Wong / 2009 / A novel gate boosting circuit for 2-phase high voltage CMOS charge pump / IEEE(Solid-State Circuits) : 250 ~ 253
2. [학술대회논문] - Zong Han Hsieh / 2009 / A novel mixed -structure design for high-efficiency charge pump / IEEE(Mixed Design of Integrated Circuits and Systems) : 210 ~ 214
3. [학술대회논문] - Ansari, M. A. / 2011 / Single clock charge pump designed in 0.35um technology / IEEE(Mixed Design of Integrated Circuits and System) : 552 ~ 556
4. [학술대회논문] - Nan-Xiong / 2010 / Improving the Efficiency of Mixed-Structure Charge Pumps by the Multi-Phase Technique / IEEE(Industrial Electronics and Applications) : 358 ~ 363
5. [학술대회논문] - New, L. F. / 2012 / A low ripple CMOS charge pump for low-voltage application / IEEE(Intelligent and Advanced System) : 784 ~ 789
2. [학술대회논문] - Zong Han Hsieh / 2009 / A novel mixed -structure design for high-efficiency charge pump / IEEE(Mixed Design of Integrated Circuits and Systems) : 210 ~ 214
3. [학술대회논문] - Ansari, M. A. / 2011 / Single clock charge pump designed in 0.35um technology / IEEE(Mixed Design of Integrated Circuits and System) : 552 ~ 556
4. [학술대회논문] - Nan-Xiong / 2010 / Improving the Efficiency of Mixed-Structure Charge Pumps by the Multi-Phase Technique / IEEE(Industrial Electronics and Applications) : 358 ~ 363
5. [학술대회논문] - New, L. F. / 2012 / A low ripple CMOS charge pump for low-voltage application / IEEE(Intelligent and Advanced System) : 784 ~ 789
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