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장바울 (서울대) 강상우 (서울대) 조보형 (서울대) 김진한 (삼성전자) 서한솔 (삼성전자) 박현수 (삼성전자)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제20권 제3호
발행연도
2015.6
수록면
214 - 222 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

GaN FET을 이용한 토템폴 구조의 브리지리스 부스트 PFC 컨버터
장바울 ,  강상우 ,  조보형 외 3명 전력전자학회논문지 2015.06 학술저널

2014

GaN FET을 이용한 토템폴 구조의 브리지리스 부스트 PFC 컨버터
장바울 ,  강상우 ,  조보형 외 3명 전력전자학회 학술대회 논문집 2014.11 학술대회자료

초록· 키워드

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The superiority of gallium nitride FET (GaN FET) over silicon MOSFET is examined in this paper. One of the outstanding features of GaN FET is low reverse-recovery charge, which enables continuous conduction mode operation of totem-pole bridgeless boost power factor correction (PFC) circuit. Among many bridgeless topologies, totem-pole bridgeless shows high efficiency and low conducted electromagnetic interference performance, with low cost and simple control scheme. The operation principle, control scheme, and circuit implementation of the proposed topology are provided. The converter is driven in two-module interleaved topology to operate at a power level of 5.5 ㎾, whereas phase-shedding control is adopted for light load efficiency improvement. Negative bias circuit is used in gate drivers to avoid the shoot-through induced by high speed switching. The superiority of GaN FET is verified by constructing a 5.5 ㎾ prototype of two-module interleaved totem-pole bridgeless boost PFC converter. The experiment results show the highest efficiency of 98.7% at 1.6 kW load and an efficiency of 97.7% at the rated load.
#Totem-pole #Bridgeless #PFC(Power Factor Correction) #GaN FET(Gallium Nitride FET)

목차

Abstract
1. 서론
2. GaN FET과 Si MOSFET의 비교
3. 브리지리스 토폴로지 비교 · 분석
4. 토템폴 브리지리스 부스트 PFC
5. 실험 결과
6. 결론
References

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - S. Ji / 2013 / High-frequency high power density 3-D integrated gallium-nitride-based point of load module design / IEEE Transactions on Power Electronics 28 (9) : 4216 ~ 4226 google schola [학술대회논문] - J. Delaine / 2012 / High frequency DC-DC converter using GaN device / in Proc. IEEE APEC : 1754 ~ 1761 google schola [학술대회논문] - Y. Zhang / 2013 / High frequency synchronous buck converter using GaN-on-SiC HEMTs / in Proc. IEEE ECCE : 1279 ~ 1283 google schola [학술지(정기간행물)] - W. Saito / 2008 / A 120-W boost converter operation using a high-voltage GaN-HEMT / IEEE Electron. Device Lett 29 (1) : 8 ~ 10 google schola [학술대회논문] - D. Costinett / 2011 / GaN-FET based dual active bridge DC–DC converter / in Proc. IEEE APEC : 1425 ~ 1432 google schola

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