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저자정보
김선진 (충남대학교) 이계승 (한국기초과학지원연구원) 허환 (한국기초과학지원연구원) 이학선 (한국전자통신연구원) 배현철 (한국전자통신연구원) 최광성 (한국전자통신연구원) 김기석 (서울대학교) 김건희 (한국기초과학지원연구원)
저널정보
한국비파괴검사학회 비파괴검사학회지 비파괴검사학회지 제35권 제3호
발행연도
2015.6
수록면
200 - 205 (6page)

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현대의 컴팩트 반도체 소자들은 정확한 품질검사를 위해 비파괴, 고분해능의 검사 장비가 요구되고 있다. 검사 장비 중 고분해능 적외선 대물렌즈와 적외선 센서로 구성된 초정밀 열영상 현미경은 반도체 내부의 결함에서 발생되는 국소적 열원의 위치와 깊이 정보를 얻는데 유용하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 위상잠금기법이 적용된 적외선열영상 현미경을 이용하여 다층구조로 된 반도체 소자 내부 열원의 위치와 깊이 정보에 대해 분석하였다. 시편은 내부에 3개의 열원을 포함한 TSV(through silicon via technology) 기반 4단 적층구조로서 측정 표면으로부터 열원의 깊이는 240 μm이다. 본 실험에서는 위상잠금기법을 통해 시편 내부 열원의 위치와 깊이를 정확히 찾을 수 있는 초점면 위치, 노출시간 그리고 위상잠금주파수 등 최적의 조건을 찾고 그 조건에서 적외선 대물렌즈와 시편의 거리 변화에 따른 위상 변이와 깊이 정보에 대한 영향을 알아 보았다. 이와 같은 반도체 내부결함에 의한 열원의 위치와 깊이 분석에 대한 연구는 품질검사용 열영상 분석 장비 개발에 큰 도움을 줄 것으로 예상한다.
#열영상 현미경 #위상잠금기법 #TSV #반도체칩 #열열상분석장비 #Infrared Microscope #Multi-Layer Semiconductor Chip #Lock-in Thermography

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 위상잠금 열영상 분석기법
3. 실험 방법 및 결과
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (4)

참고문헌 신청
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