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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
Sungbae Lee (Hanyang University) Yong Ho Song (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC 2015
발행연도
2015.6
수록면
390 - 393 (4page)

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PRAM is a non-volatile memory that has a similar degree of read performance to that of DRAM. However, the poor durability and slow write performance of PRAM are indicated as weak points. Data are stored in PRAM by the SET & RESET operation, and long SET latency causes more degradation of write performance.
The Selective PreSET technique proposed in this paper, which utilizes a temporary buffer, enhances the durability and performance of PRAM in addition to hiding the delayed SET latency. The experimental simulation result verifies that the Selective PreSET technique decreases the SET and RESET phase-change rates to the average points of 16.96 % and 47.13 %, respectively, by removing repeated phase-change. The performance could be enhanced by 1.45 times that of the existing PreSET technique.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. BACKGROUND
3. SELECTIVE PRESET APPROACH
4. EXPERIMENTS
5. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-569-001693199