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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 153 - 158 (6page)
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The elastic material constants, stiffness constants (c<SUB>11</SUB>, c<SUB>12</SUB>, and c<SUB>44</SUB>), are three unique coefficients that establish the relation between stress and strain. Accurate knowledge of mechanical properties and the stiffness coefficients for silicon is required for design of Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) devices for proper modeling of stress and strain in electronic packaging. In this work, the stiffness coefficients for silicon as a function of temperature from -150℃ to +25℃ have been extracted by using the experimental measurements of Poisson’s ratio (n) of silicon in several directions.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THEORY
III. EXPERIMENTS AND ANALYSIS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
W. G. Pfann and R. N. Thurston, J. Appl. Phys. 32, 2008 (1961).
R. C. Jaeger, Introduction to Microelectronic Fabrication (Addison-Wesley Longman, Boston, MA, U.S.A., 1993) p. 269-270.
J. J. Wortman and R. A. Evans, J. Appl. Phys. 36, 153 (1964).
Y. Kang, Ph. D. Dissertation, Auburn University, Auburn, AL, U.S.A., 1997, p. 144-158.
J. M. Gere, S. P. Timoshenko and S. Thornes, Mechanics of Materials, 4th ed. (Nelson Thornes, 2002).
R. C. Jaeger, Introduction to Microelectronic Fabrication (Addison-Wesley Longman, Boston, MA, U.S.A., 1993) p. 269-270.
J. J. Wortman and R. A. Evans, J. Appl. Phys. 36, 153 (1964).
Y. Kang, Ph. D. Dissertation, Auburn University, Auburn, AL, U.S.A., 1997, p. 144-158.
J. M. Gere, S. P. Timoshenko and S. Thornes, Mechanics of Materials, 4th ed. (Nelson Thornes, 2002).
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