Accurate Sub-1 V CMOS Bandgap Voltage Reference with PSRR of -118 ㏈

Hamed Abbasizadeh; Sung-Hun Cho; Sang-Sun Yoo; Kang-Yoon Lee

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자료유형: 학술저널

저자정보: Hamed Abbasizadeh (Sungkyunkwan University) Sung-Hun Cho (Sungkyunkwan University) Sang-Sun Yoo (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Kang-Yoon Lee (Sungkyunkwan University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.4

발행연도: 2016.8

수록면: 528 - 533 (6page)

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A low voltage high PSRR CMOS Bandgap circuit capable of generating a stable voltage of less than 1 V (0.8 V and 0.5 V) robust to Process, Voltage and Temperature (PVT) variations is proposed. The high PSRR of the circuit is guaranteed by a low-voltage current mode regulator at the central aspect of the bandgap circuitry, which isolates the bandgap voltage from power supply variations and noise. The isolating current mirrors create an internal regulated voltage V<SUP>reg</SUP> for the BG core and Op-Amp rather than the V<SUP>DD</SUP>. These current mirrors reduce the impact of supply voltage variations. The proposed circuit is implemented in a 0.35 ㎛ CMOS technology. The BGR circuit occupies 0.024 ㎟ of the die area and consumes 200 ㎼ from a 5 V supply voltage at room temperature. Experimental results demonstrate that the PSRR of the voltage reference achieved -118 ㏈ at frequencies up to 1 ㎑ and -55 ㏈ at 1 ㎒ without additional circuits for the curvature compensation. A temperature coefficient of 60 ppm/℃ is obtained in the range of -40 to 120℃.

#Bandgap reference (BGR) #high PSRR #low voltage #line regulation #current-mode regulator

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