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이 논문의 연구 히스토리 (3)
1998
1MeV 인 이온 주입시 RTA에 의한 미세결함 특성과 latch-up 면역에 관한 구조 연구
노병규
,
윤석범
전기전자학회논문지
1998.08
학술저널
고에너지 이온 주입을 이용한 latch-up 면역에 관한 구조 연구 ( A Study on Latch-up Immune Structure by High Energy Ion Implantation )
노병규
,
안태준
,
강희원
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1998.07
학술대회자료
고에너지 이온 주입을 이용한 latch-up 면역에 관한 구조 연구
노병규
,
안태준
,
강희원
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1998.06
학술대회자료
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인(Phosphorus)을 1MeV로 이온 주입한 후 RTA를 실시하여 미세결함의 특성을 조사하고, 면저항, SRP, SIMS, XTEM 분석과 CMOS 구조에서 래치업 특성을 모의 실험하였다. 도즈량이 증가할수록 면저항은 낮아지고, Rp값은 도즈량이 1×10<sup>13</sup>/㎠, 5×10<sup>13</sup>/㎠, 1×10<sup>14</sup>/㎠일때 각각 1.15㎛, 1.15㎛, 1.10㎛로 나타났다. SIMS 측정결과는 열처리 시간이 길수록 농도의 최대치가 표면으로부터 깊어지고, 농도 또한 낮아짐을 확인하였다. XTEM 분석 결과는 열처리 전에는 결함측정이 불가능했으나, 측정되지 많은 미세결함이 열처리 후 이차결함으로 성장한 것으로 조사되었다. 모의 실험은 buried layer와 connecting layer 구조를 사용하였으며, buried layer보다 connecting layer가 래치업 특성이 우수함을 확인하였다. Connecting layer의 도즈량이 1×10<sup>14</sup>/㎠이고 이온주입 에너지가 500KeV일 때 trigger current는 0.6㎃/㎛이상이었고, trigger voltage는 약 6V로 나타났다. Connecting layer의 이온주입 에너지가 낮을수록 래치업 저감효과가 더욱 우수함을 알 수 있었다.
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