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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.10
- 수록면
- 1,702 - 1,705 (4page)
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We propose a novel hydrogen-reduced p-type amorphous silicon oxide buffer layer between TiO₂ antireflection layer and p-type silicon window layer of silicon thin film solar cells. This new buffer layer can protect underlying the TiO₂ by suppressing hydrogen plasma, which could be made by excluding H2 gas introduction during plasma deposition. Amorphous silicon oxide thin film solar cells with employing the new buffer layer exhibited better conversion efficiency (8.10 %) compared with the standard cell (7.88 %) without the buffer layer. This new buffer layer can be processed in the same p-chamber with in-situ mode before depositing main p-type amorphous silicon oxide window layer. Comparing with state-of-the-art buffer layer of AZO/p-nc-SiOx:H, our new buffer layer can be processed with cost-effective, much simple process based on similar device performances.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 토의
4. 결론
References
참고문헌 (5)
참고문헌 신청
B. Cai / 2016 / Significant light absorption enhancement in silicon thin film tandem solar cells with metallic nanoparticles / Nanotechnology 27(19):195401-1~195401-10
T. Fujibayashi / 2006 / Improvement in quantum efficiency of thin film Si solar cells due to the suppression of optical reflectance at transparent conducting oxide/Si interface by TiO2/ZnO antireflection coating / Applied physics letters 88:183508-1~183508-4
S. Baek / 2012 / Interface modification effect between p-type a-SiC : H and ZnO : Al in p–i–n amorphous silicon solar cells / Nanoscale Res. Lett 7:1~5
D. -W. Kang / 2015 / Light Management of a-SiOx:H Thin Film Solar Cells with Hydrogen-reduced P+ Buffer at TiO2/p-layer Interface / Solar Energy Materials & Solar Cells 143:296~301
Y. Chiba / 2004 / Plasma surface treatment effect of TiO2 thin film / Vacuum 74:643~646
T. Fujibayashi / 2006 / Improvement in quantum efficiency of thin film Si solar cells due to the suppression of optical reflectance at transparent conducting oxide/Si interface by TiO2/ZnO antireflection coating / Applied physics letters 88:183508-1~183508-4
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