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저자정보
이태경 (한국생산기술연구원) 이상직 (한국생산기술연구원) 정해도 (부산대학교) 김형재 (한국생산기술연구원)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 윤활학회지 제32권 제4호
발행연도
2016.8
수록면
119 - 124 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2019

래핑 정반의 기하학적 인자가 기판의 평탄도에 미치는 영향
이태경 ,  김도연 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2019.10 학술대회자료

2017

래핑정반의 기하학적 인자가 사파이어 기판의 연마특성에 미치는 영향
이태경 기계공학부 2017.01 학위논문

2016

래핑정반 그루브가 사파이어 기판의 재료제거율에 미치는 영향
이태경 ,  김형재 ,  조한철 외 1명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2016.10 학술대회자료
정반 그루브의 형상치수가 사파이어 기판의 연마특성에 미치는 영향
이태경 ,  이상직 ,  정해도 외 1명 Tribology and Lubricants 2016.08 학술저널

초록· 키워드

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In the sapphire wafering process, lapping is a crucial operation in order to reduce the damaged layer and achieve the target thickness. Many parameters, such as pressure, velocity, abrasive, slurry and plate, affect lapping characteristics. This paper presents an experimental investigation on the effect of the plate groove on the material removal rate and roughness of the wafer. We select the spiral pattern and rectangular type as the groove shapes. We vary the groove density by controlling the groove shape dimension, i.e., the groove width and pitch. As the groove density increases to 0.4, the material removal rate increases and gradually reaches a saturation point. When the groove density is low, the pressing load is mostly supported by the thick film, and only a small amount acts on the abrasives resulting to a low material removal rate. The roughness decreases on increasing the groove density up to 0.3 because thick film makes partial participations of large abrasives which make deep scratches. From these results, we could conclude that the groove affects the contact condition between the wafer and plate. At the same groove density, the pitch has more influence on reducing the film thickness than the groove width. By decreasing the groove density with a smaller pitch and larger groove width, we could achieve a high material removal rate and low roughness. These results would be helpful in understanding the groove effects and determining the appropriate groove design.
#sapphire wafer(사파이어 기판) #lapping(래핑) #groove(그루브) #material removal rate(재료제거율) #shape dimension(형상치수)

목차

Abstract
1. 서론
2. 정반 그루브의 특성
3. 실험 방법 및 내용
4. 실험 결과 및 고찰
5. 결론
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
Hu, X. / 2009 / Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives / Appl. Surf. Sc 255(19):8230~8234 google schola Cheng, W. / 2013 / Discussion on the lapping and polishing process of 4H-SiC wafer / Proc. IEEE International Conference google schola Evans, C. J. / 2003 / Material removal mechanisms in lapping and polishing / CIRP Annals-Manuf. Tech 52(2):611~633 google schola Wei, C. C. / 2011 / Analyses and experimental confirmation of removal performance of silicon oxide film in the chemical–mechanical polishing (CMP) process with pattern geometry of concentric groove pads / Wear 270(3):172~180 google schola Rosales-Yeomans, D. / 2012 / Effect of concentric slanted pad groove patterns on slurry flow during chemical mechanical planarization / Thin Solid Films 520(6):2224~2232 google schola

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