2~16 GHz GaN 비균일 분산 전력증폭기 MMIC

배경태; 이익준; 강현석; 김동욱

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자료유형: 학술저널

저자정보: 배경태 (충남대학교) 이익준 (충남대학교) 강현석 (충남대학교) 김동욱 (충남대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌第27卷第11號(通卷第234號)

발행연도: 2016.11

수록면: 1,019 - 1,022 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2016

2~16 GHz GaN 비균일 분산 전력증폭기 MMIC

배경태 , 이익준 , 강현석 외 1명 한국전자파학회논문지 2016.11 학술저널

테이퍼링된 병렬 커패시터를 이용한 10W급 광대역 GaN 비균일 분산 전력증폭기 MMIC의 설계 및 제작

배경태 전자전파정보통신공학과 2016.01 학위논문

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본 논문에서는 드레인 분기 커패시터를 사용하여 입․출력 간 동위상을 제공함과 동시에 각 트랜지스터에 최적 부하임피던스를 제공하는 비균일 분산 전력증폭기 설계 기법을 2~16 GHz GaN 광대역 전력증폭기 MMIC 설계에 적용하고, 칩을 제작하여 결과를 평가하였다. Win Semiconductors사의 0.25 μm GaN HEMT 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 3.9 mm×3.1 mm이며, 주파수 대역 내에서 12 dB 이상의 선형 이득 및 10 dB 이상의 입력 반사 손실을 보였다. 연속파모드 포화출력 조건에서 측정된 출력 전력은 36.2~38.5 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 약 8~16 %를 나타내었다.

#GaN #HEMT #Wideband Power Amplifier #MMIC #Nonuniform Distributed

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

[학술지(정기간행물)] - U. Schmid / 2013 / Ultra-wideband GaN MMIC chip set and high power amplifier module for multi-function defence AESA applications / IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques 61 (8) : 3043 ~ 3051

[학술대회논문] - J. Gassmann / 2007 / Wideband, high-efficiency GaN power amplifiers utilizing a non-uniform distributed topology / IEEE MTT-S International Microw. Symp. Digest : 615 ~ 618

[학술지(정기간행물)] - C. Campbell / 2009 / A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 44 (10) : 2640 ~ 2647

[학술지(정기간행물)] - R. Santhakumar / 2011 / Two-stage high-gain high-power distributed amplifier using dualgate GaN HEMTs / IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques 59 (8) : 2059 ~ 2063

[학술대회논문] - E. Ersoy / 2014 / A compact GaN-MMIC non-uniform distributed power amplifier for 2 to 12 GHz / German Microwave Conf. 2014(GeMIC 2014)

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