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성승호 (가톨릭대학교) 이은숙 (가톨릭대학교) 김현우 (가톨릭대학교) 김대현 (가톨릭대학교) 강정수 (가톨릭대학교) M. Venkatesan (Trinity College) J. M. D. Coey (Trinity College)
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제26권 제6호
발행연도
2016.12
수록면
185 - 189 (5page)

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이 연구에서는 방사광을 이용한 연 X-선 흡수 분광법(soft X-ray absorption spectroscopy: XAS)과 광전자 분광법(photoemission spectroscopy: PES) 을 이용하여 반쪽금속 반강자성체 후보 물질인 Mn₃Ga 호이슬러 화합물의 전자구조를 연구하였다. 이 연구에 사용된 시료는 full-Heusler Mn₃Ga로 ball milling 후 열처리하지 않은 시료와 ball milling 후 400 ℃에서 열처리한 두 시료를 사용하였다. XAS 분석에 의하면 Mn₃Ga에서 Mn 이온들의 원자가는 Mn<SUP>2+</SUP> 상태임을 알 수 있었으며, 국소적으로 팔면체 대칭성을 가진 Mn 이온들과 사면체 대칭성을 가진 Mn 이온들이 섞여 있음을 알 수 있었다. 그리고 Mn3Ga의 가전자띠 PES 스펙트럼은 전자구조 계산에 의한 반쪽 금속성 상태밀도와 대체로 유사함을 발견하였다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (19)

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