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저자정보
이기훈 (Incheon National University) 강태곤 (Incheon National University) 이규연 (Incheon National University) 박종태 (Incheon National University)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제21권 제1호
발행연도
2017.1
수록면
82 - 89 (8page)

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본 연구에서는 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화를 분석하기 위해 Ni, Al, 및 ITO를 소스 및 드레인 전극 재료로 사용하여 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극 재료에 따른 소자의 전기적 특성을 분석한 결과 Ni 소자가 이동도, 문턱전압 이하 스윙, 구동전류 대 누설전류 비율이 가장 우수하였다. 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화 측정결과 Al 소자의 열화가 가장 심한 것을 알 수 있었다. InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화 메카니즘을 분석하기 위하여 채널 폭과 스트레스 드레인 전압을 다르게 하여 문턱전압 변화를 측정하였다. 그 결과 채널 폭이 넓을수록 또 스트레스 드레인 전압이 높을수록 소자 열화가 많이 되었다. 측정결과로부터 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화는 큰 채널 전계와 주울 열의 결합 작용으로 발생함을 알 수 있었다.
#InGaZnO 박막 트랜지스터 #소자 열화 #전극 재료 #Joule 열 #InGaZnO thin film transistor #hot carrier degradation #electrode materials #Joule heat

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
P. Barquinha, A. M. Vila, G. Goncalves, L. Pereira, R. Martins, J. R. Morante, and E. Fortunato, “Gallium- Indium-Zinc-Oxide-Base Thin Film Transistors: Influence of the Source/Drain Material,” IEEE Transaction. Electron Device, vol. 55, no. 4, pp. 954-960, Apr. 2006. J. R. Yim, S. Y. Jung, H. W. Yeon, J. Y. Kwon, Y. J. Lee, J. H. Lee, and Y. C. Joo, “Effect of Metal Electrode on the Electrical Performance of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 51, pp. 011401-1-5, Dec. 2011. Y. Ueoka, Y. Ishikawa, J. P. Bermundo, H. Yamazki, S. Urakawa, Y. Osada, M.. Horita, and Y. Uraoka, “Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, pp. 03CC04-1-5, Feb. 2014. J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa,“High field-effect mobility amorphous InGaZnO transistors with aluminum electrodes,” Applied physics Letters, vol. 93, pp. 063501- 1-3, Aug. 2008. J. Park, C. S. Kim, Y.S. Kim, Y. C. Park, H. J. Park, B. S. Bae, J. S. Park, and H. S. Kim, “The effect of ITO and Mo electrodes on the properties and stablity of In-Ga-Zn-O thin film transistors,” Journal of Electronics, vol. 36, no. 1, pp. 129-134, Jun. 2016.

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