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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Seong-jun Kang (Mokpo National University) Cheolhun Na (Mokpo National University)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제21권 제5호
발행연도
2017.5
수록면
861 - 868 (8page)

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도핑 되지 않은 반 절연 LEC GaAs내의 EL2와 얕은 준위 분포를 영상화하기 위해 대역단 적외선 영상 기법을 활용했다. 대역단 적외선 투사 매핑에 근거한 본 기법은 분석 속도가 빠르고 비파괴적인 방법이다. EL2 흡수 영상이 콘트라스트 반전되는 대역단 부근에 대한 정량적인 해석은 아직 보고되지 않고 있다. 본 논문은 대역단 부근에서 영상의 특정 부분(cell, wall)에 대한 포토퀀칭 메커니즘의 스펙트럼-, 공간- 및 온도- 종속성을 논하고 있다. 결함 부분별(EL2w, EL2b)로 포토퀀칭 개시점이 다른 것은 불순물 종류의 차이로 인한 서로 다른 전기적 작용에 기인한 것으로 해석할 수 있다. 전위(dislocation) 밀도가 높은 곳에서는 EL2b 밀도는 약간 적은 반면 EL2w 밀도는 보다 많다는 것을 정량적 해석으로부터 확인 했다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SPECTRAL IMAGING
Ⅲ. PRINCIPLES OF QUANTITATIVE ANALYSIS
Ⅳ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (6)

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