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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김진영 (광운대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제50권 제3호
발행연도
2017.6
수록면
219 - 224 (6page)

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The K gettering in SiO<SUB>2</SUB>/PSG/SiO<SUB>2</SUB>/Al-1%Si multilevel thin films was investigated using SIMS(secondary ion mass spectrometry) and XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis. DC magnetron sputter techniques and APCVD(atmosphere pressure chemical vapor deposition) were utilized for the deposition of Al-1%Si thin films and SiO<SUB>2</SUB>/PSG/SiO<SUB>2</SUB> passivations, respectively. Heat treatment was carried out at 400℃ for 5 h in air. SIMS depth profiling was used to determine the distribution of K, Al, Si, P and other elements throughout the SiO<SUB>2</SUB>/PSG/SiO<SUB>2</SUB>/Al-1%Si multilevel thin films. XPS was used to analyze binding energies of Si and P elements in PSG passivation layers. K peaks were observed throughout the PSG/SiO<SUB>2</SUB> passivation layers on the Al-1%Si thin films and especially at the PSG/SiO<SUB>2</SUB> interfaces. K gettering in SiO<SUB>2</SUB>/PSG/SiO<SUB>2</SUB>/Al-1%Si multilevel thin films is considered to be caused by a segregation type of gettering. The chemical state of Si and P elements in PSG passivation appears to be SiO<SUB>2</SUB> and P<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>, respectively.
#K gettering #PSG passivation #SIMS depth profile

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
H. Zhu, X. Yu, X. Zhu, Y. Wu, J. He, J. Vanhellemont, D. Yang, Low temperature iron gettering by grown-in defects in p-type Czochralski silicon, Superlattices and Microstructures 99 (2016) 192-196. M. Al-Amin and J. D. Murphy, Increasing minority carrier lifetime in as-grown multicrystalline silicon by low temperature internal gettering, J. Appl. Phys. 119 (2016) 235704. G. Kissinger, D. Kot, M. Klingsporn, M. Schubert, A. Sattler, and T. Muller, Investigation of the copper gettering mechanism of oxide precipitates in silicon, ESC J. Solid State Sci. and Technol., 4 (2015) N124-N129. S. Krivec, M. Buchmayr, T. Detzel, M. Nelhiebel, H. Hutter, Voltage-assisted sodium ion incorporation and transport in thin silicon dioxide films, Surf.Interface Anal., 42 (2010) 886-890. K. S. Choe, Silicon intrinsic gettering technology: understanding and practice, J. Kor. Mater. Res., 14 (2004) 9-12.

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