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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제3권 제3호
발행연도
2002.9
수록면
165 - 169 (5page)

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반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실려콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 본 연구에서는 하나로 원자료를 이용하여 고저항(1000-2000 Ω㎝) FZ 실리콘 웨이퍼에 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였 고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5 Ω㎝, 20.1 Ω㎝이고 IP3조사공은 5 Ω㎝, 26.5 Ω㎝, 32.5 Ω㎝이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10 Ω㎝, HTS-2 7.21 Ω㎝이었고, IP-1은 1.79 Ω㎝, lP-2는 6.83 Ω㎝, 마지막으로 IP-3는 9.23 Ω㎝이었다. DLTS측정 결과 IP조사공에서 새로운 피크의 결함을 발견할 수 있었다. 또한 중성자 조사후의 저항 변화는 열중성자량에 의존하며 조사공의 종류와는 무관하다.
#Point defect #SRP #Neutron #NTD #Annealing #HANARO #DLTS

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