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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제6권 제3호
발행연도
2005.6
수록면
273 - 277 (5page)

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새로이 제안된 15 ㎚-Ni/15 ㎚-Co의 적충구조로부터 제조된 NiCo 복합실리사이드를 실제 디바이스에 채용하기 위해, Si0₂ 스페이서를 가진 폴리실리콘 게이트 선폭이 0.25-1.5 ㎛까지 변화하는 테스트그룹을 이용하여 30초-RTA를 이용한 실리사이드화 온도를 700~1100 ℃까지 변화시키면서 이때 cleaning 전후의 잔류금속의 생성모습을 확인하였다, RTA온도가 올라갈수록 Si02로 구성된 필드와 스페이서 상부와, 실리사이드가 형성된 게이트 상부에 0.25 ㎛정도의 단축직경을 가진 타원형 잔류금속이 미로형 또는 게이트 방향으로 생성되는 특정이 있었고 동시에 응집이 많아지는 현상이 있었다. 응집이 많을수록 하부 절연층과의 반응도가 증가하여 절연특성이 저하될 수 있었고 과도한 습식제거 공정을 오래하여야 하므로 실험 범위 내에서 가급적 저온 실리사이드화 열처리가 바람직하였다.

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