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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.10
- 수록면
- 1,193 - 1,200 (8page)
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본 논문은 절화갈륨 전력 소자를 이용한 이동통신 시스템용 전력증폭기 모듈에 대하여 기술하고 있다. 전치 증폭단, 구동증폭단, 그리고 전력증폭단을 각각 설계, 제작하여 그 성능을 측정하고, 이를 바탕으로 통합 모듈을 설계 하여 5Watt급 GaN 전력증폭기 모듈을 완성하였다. 하모닉 자단과 ACP를 개선하기 위하여 출력측에 결함접지구소를 삼입하였다. 개발된 질화갈륨 전력증폭기의 성능을 측정한 결과, 2.1㎓대역에서 58㏈ 이상의 이득， 37㏈m 이상의 출력，50㏈c 이상의 하모닉 차단， 2-tone 입력시 35㏈c 이상의 1D특성, 그리고 35㏈C 이상의 ACP 특성을 얻었다.
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참고문헌 (7)
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1. [단행본] - W. Nagy / 2005 / 150W GaN-on-Si RF Power Transistor / IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest : 483 ~ 486
2. [단행본] - Shoichi Narahashi / 2007 / 2-GHz Band Cryogenically-Cooled GaN HEMT Amplifier for Mobile Base Station Receivers / EUMA Proceedings : 399 ~ 402
3. [단행본] - K. Joshin / 2001 / A 174 W high-efficiency GaN HEMT Power Amplifier for W-CDMA base station applications / 2003 IEEE IEDM. : 633 ~ 636
4. [학술대회논문] - Hidenori Shimawaki / 2005 / GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications / 13th GAAS Symposium2005 : 377 ~ 380
5. [학술지(정기간행물)] - J. S. Lim / 2004 / Improvement in Performance of Power Amplifiers by Defected Ground Structure / IEICE Trans. Electron 87 (1) : 52 ~ 59
2. [단행본] - Shoichi Narahashi / 2007 / 2-GHz Band Cryogenically-Cooled GaN HEMT Amplifier for Mobile Base Station Receivers / EUMA Proceedings : 399 ~ 402
3. [단행본] - K. Joshin / 2001 / A 174 W high-efficiency GaN HEMT Power Amplifier for W-CDMA base station applications / 2003 IEEE IEDM. : 633 ~ 636
4. [학술대회논문] - Hidenori Shimawaki / 2005 / GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications / 13th GAAS Symposium2005 : 377 ~ 380
5. [학술지(정기간행물)] - J. S. Lim / 2004 / Improvement in Performance of Power Amplifiers by Defected Ground Structure / IEICE Trans. Electron 87 (1) : 52 ~ 59
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