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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.5
- 수록면
- 2,267 - 2,271 (5page)
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p-채널 박막트랜지스터에 이용할 수 있는 p-형 산화구리 박막반도체를 얻기 위한 연구를 하였다. 진공열증착 방법으로 산화구리 박막을 성막하였으며, 증착 후 열처리 조건을 조절하여 박막트랜지스터의 활성층에 적용 가능한 특성을 가지는 산화구리 박막반도체를 얻었다. 열처리 전에 10<SUP>22</SUP> cm<SUP>-3</SUP> 수준의 전자 이송자농도를 가지던 n-형 박막이 열처리 조건을 최적화함에 따라 10<SUP>16</SUP> cm<SUP>-3</SUP> 수준의 정공 이송자농도를 가지는 p-형 산화물반도체 박막으로 변화하였다.
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1. [학술지(정기간행물)] - 박진성 / 200902 / 12.1-in. WXGA AMOLED display driven by InGaZnO thin-film transistors / JOURNAL OF THE SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 17 (2) : 95 ~ 100
2. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2008 / World's Largest (15-inch) XGA AMLCD Panel Using IGZO Oxide TFT / Proc. Soc. Inf. Disp 39 : 625 ~ 628
3. [학술지(정기간행물)] - C. Kim / 2009 / Amorphous hafnium-indium-zinc oxide semiconductor thin film transistors / Appl. Phys. Lett 95 : 252103 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Lee / 2007 / A General Route to Printable High-Mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductors / Adv. Mater. 19 : 843 ~ 847
5. [학술지(정기간행물)] - M. Grover / 2007 / Thin-film transistors with transparent amorphous zinc indium tin oxide channel layer / J. Phys. D Appl. Phys. 40 : 1335 ~ 1338
2. [학술지(정기간행물)] - J. Lee / 2008 / World's Largest (15-inch) XGA AMLCD Panel Using IGZO Oxide TFT / Proc. Soc. Inf. Disp 39 : 625 ~ 628
3. [학술지(정기간행물)] - C. Kim / 2009 / Amorphous hafnium-indium-zinc oxide semiconductor thin film transistors / Appl. Phys. Lett 95 : 252103 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Lee / 2007 / A General Route to Printable High-Mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductors / Adv. Mater. 19 : 843 ~ 847
5. [학술지(정기간행물)] - M. Grover / 2007 / Thin-film transistors with transparent amorphous zinc indium tin oxide channel layer / J. Phys. D Appl. Phys. 40 : 1335 ~ 1338
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