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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
한장훈 (광운대학교) 김정근 (광운대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第28卷 第7號(通卷 第242號)
발행연도
2017.7
수록면
571 - 575 (5page)

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논문은 0.13 ㎛ TSMC CMOS 공정을 이용한 위상 배열 안테나의 C-대역 양방향 T/R 칩셋에 관한 연구이다. 위상 배열 안테나의 필수 부품인 T/R 칩셋은 6 비트 위상변위기, 6 비트 가변 감쇄기, 양방향 증폭기로 구성하였다. 위상 변위기의 경우 정밀한 빔 조향을 위해서 5.625°의 간격으로 최대 354°까지 제어가 가능하며, 측엽 레벨을 제어하기 위한 가변 감쇄기는 0.5 ㏈ 간격으로 최대 31.5 ㏈까지 감쇄가 가능하다. 또한, 1.2 V의 안정적인 전원공급을 위한 LDO(Low Drop Output) 레귤레이터와 디지털 회로의 제어가 간편하도록 SPI(Serial Peripheral Interface)를 집적화 하였으며, 칩 크기는 패드를 포함하여 2.5×1.5 ㎟이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. C-대역 CMOS T/R 칩셋 설계
Ⅲ. CMOS T/R 칩셋 측정 결과
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (8)

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