BCD 공정기반의 고속 EEPROM IP 설계

김일준; 박헌; 하판봉; 김영희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김일준 (창원대학교) 박헌 하판봉 (창원대학교) 김영희 (창원대학교)

저널정보: 한국정보전자통신기술학회 한국정보전자통신기술학회 논문지 한국정보전자통신기술학회 논문지 제10권 제5호

발행연도: 2017.10

수록면: 455 - 461 (7page)

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본 논문에서는 읽기 모드에서 BL (Bit Line)의 전압을 DL (Data Line)에 전달하는 시간을 줄이기 위해 기생하는 커패시턴스가 큰 distributed DB 센싱 방식 대신 기생하는 커패시턴스가 작은 local DL 센싱 방식을 제안하였다. 그리고 읽기 모드에서 NMOS 스위치를 빠르게 ON 시키는 BL 스위치 회로를 제안하였다. 또한 BL 노드 전압을 VDD-VT로 선 충전하는 대신 DL 클램핑 회로를 사용하여 0.6V로 클램핑 하고 차동증폭기를 사용하므로 읽기 모드에서 access 시간을 35.63ns로 40ns를 만족시켰다. 0.13㎛ BCD 공정을 기반으로 설계된 512Kb EEPROM IP의 레이아웃면적은 923.4㎛ × 1150.96㎛(=1.063㎟)이다.

#BCD process #Dual Program Voltage #EEPROM #High-Speed #Local DL Sensing

참고문헌 (8)

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[학술지(정기간행물)] - F. Xu / 2004 / Key Design Techniques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory / Communication, Circuits and System 2 : 1516 ~ 1520

[학술지(정기간행물)] - A. Conte / 2005 / A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2) : 507 ~ 514

[학술대회논문] - H. Park / 2017 / Design of 512Kb EEPR OM IP Using Dual Program Voltage / Proceed ings of ICIECT : 176 ~ 183

[학술대회논문] - S. Kawai / 2008 / An 8kB EEPROM-E mulation DataFLASH Module for Automot ive MCU / IEEE International Solid-State Circuits Conference : 508 ~ 509

[학술지(정기간행물)] - 조규삼 / 2009 / 터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계 / 한국정보통신학회논문지 13 (12) : 2633 ~ 2640

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