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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김용훈 (부경대학교) 최해원 (세메스 연구소) 강기문 (세메스 연구소) 안톤커랴킨 (세메스 연구소) 임권택 (부경대학교)
저널정보
한국청정기술학회 청정기술 청정기술 제24권 제3호
발행연도
2018.9
수록면
157 - 165 (9page)

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본 연구에서는 초임계 이산화탄소와 공용매 첨가물을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 Si₃N₄ 파티클을 제거하는 기술을 조사하였다. 우선, 몇 가지 계면활성제와 첨가제에 관한 초임계 이산화탄소 용해도 및 파티클 분산성 평가를 통하여 초임계 공정에 대한 적합성을 확인하였다. 다양한 변수를 조정하여 파티클 세정 실험을 진행하여 최적의 제거 조건을 확립하였다. 실험에 사용된 계면활성제는 파티클 제거 효과가 떨어졌으며, 실험 후 이차 오염물이 형성됨을 확인하였다. 반면 trimethyl phosphate는 IPA공용매와 미량의 HF와 혼합된 세정 첨가제로서 초임계 이산화탄소에 5 wt%로 포함한 유체로 온도 50 ℃, 압력 2000 psi에서 15 mL min<SUP>-1</SUP>의 유속으로 4분 간 세정한 결과, 85%의 파티클 제거 효율을 나타내었다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

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