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저자정보
박윤재 (Seoul National University) 이민재 (Seoul National University) 홍석준 (Univ. of Sussex) 정창현 (Seoul National University) 정준호 (Seoul National University) 김태현 (Seoul National University) 권영대 (SK Telecom) 조동일 (Seoul National University)
저널정보
한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제43권 제10호
발행연도
2018.10
수록면
1,597 - 1,604 (8page)
DOI
10.7840/kics.2018.43.10.1597

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2018

평면 이온트랩의 X형 교차로 영역을 통과하는 이온 손실의 가능성을 줄이기 위한 DC 인가 전압 세트 설계
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 한국통신학회논문지 2018.10 학술저널
평면 이온 트랩에 포획된 이온이 교차점을 통과시 손실 가능성을 최소화하기 위한 DC 전압 설계
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 한국통신학회 학술대회논문집 2018.01 학술대회자료

2017

유전 알고리즘을 이용한 X-교차점 이온트랩의 유사전위 장벽의 최적화
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 2017.05 학술대회자료

2016

포획된 이온의 위치 제어를 위한 DC 전압 설계 방법
박윤재 ,  홍석준 ,  이민재 외 2명 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 2016.03 학술대회자료

초록· 키워드

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이온트랩 기반의 대규모 양자정보처리 시스템의 구현을 위해서는 선형 이온트랩이 교차하여 교차로를 생성시키는 평면 이온트랩 시스템의 설계 및 안정적인 이온 이동 방법 개발이 필요하다. 양자정보를 가지고 있는 이온이 안정적으로 교차로 이온트랩을 통과하도록, DC 인가 전압 세트를 적절히 설계하여 이온의 손실 가능성을 감소시킬 필요가 있다. 전위 우물에 포획된 이온이 축방향으로 이동할 때, 이온에서 보여지는 전위 우물의 형태의 변화는 이온 가열을 초래한다. 본 논문에서는 전위 우물이 그 형태를 유지하고 축방향으로 -150 ㎛ 부터 +150 ㎛ 까지 이동될 수 있는 DC 인가 전압 세트를 추출하는 방법을 제안한다. 이 방식은 대규모 양자정보처리 장치의 구현을 위한 이온 이동 실험에 적용될 수 있다.
#DC voltage #ion shuttling #QIP #junction ion trap #ion losses

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. X-교차점 이온트랩의 구조
Ⅲ. DC 인가 전압의 결정
Ⅳ. 결과 분석
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
Y. Park, M. Lee, S. Hong, C. Jung, J. Cheong, T. Kim, Y. Kwon, and D. Cho, “Deisgn of DC voltage sets for minimizing ion losses while transporting ions via junction nodes on a surface ion trap chip,” in Proc. KICS Winter Conf., pp. 17-18, Jeongseon, Korea, Jan. 2018. D. Cho, S. Hong, M. Lee, and T. Kim, “A review of silicon microfabricated ion traps for quantum information processing,” Micro and Nano Syst. Lett., vol. 3, no. 1, pp. 1-12, Apr. 2015. S. Hong, M. Lee, H. Cheon, T. Kim, and D. Cho, “Guidelines for designing surface ion traps using the boundary element method,” Sensors, vol. 16, no. 5, pp. 616, Apr. 2016. S. Hong, M. Lee, Y. Kwon, D. Cho, and T. Kim, “Experimental methods for trapping ions using microfabricated surface ion traps,” J. Visualized Experiments, Exp. 126, e56060, Aug, 2017. S. Hong, Y. Kwon, C. Jung, M. Lee, T. Kim, and D. Cho, “A new microfabrication method for ion-trap chips that reduces exposure of dielectric surfaces to trapped ions,” J. Microelectromechanical Syst., vol. 27, no. 1, pp. 28-30, Nov. 2017.

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