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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김민석 (Korea University) 이경수 (Korea University) 김상식 (Korea University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제22권 제2호
발행연도
2018.6
수록면
499 - 505 (7page)

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피드백 전계효과 트랜지스터는 채널 내부의 전자와 정공의 의해 발생하는 피드백 현상으로 이상적인 스위칭 특성을 갖기 때문에 최근 세계적으로 많은 연구가 진행되고 있다. 이 새로운 동작원리를 가지는 소자는 초저전력 스위칭 전자소자로 동작이 가능할 뿐만 아니라 채널 내부에 축적된 전자와 정공에 의한 히스테리시스 특성으로 메모리 소자로도 동작 가능하여 그 활용 범위가 넓다. 본 논문에서는 지금까지 제안된 다양한 구조의 피드백 전계효과 트랜지스터와 그 동작 메커니즘에 관해 확인하고 적용 가능 분야에 대해서 살펴본다.
#Feedback field-effect transistors #feedback mechanism #subthreshold swing #memory application

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 피드백 전계효과 트랜지스터의 다양한 구조와 동작 메커니즘
Ⅲ. 피드백 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성
Ⅳ. 피드백 전계효과 트랜지스터의 적용 분야
Ⅴ. 결론
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