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저자정보
M. Shimizu (Toshiba Corporation) Y. Ohsawa (Toshiba Corporation) H. Yoda (Toshiba Corporation) S. Shirotori (Toshiba Corporation) B. Altansargai (Toshiba Corporation) N. Shimomura (Toshiba Corporation) Y. Kato (Toshiba Corporation) S. Oikawa (Toshiba Corporation) H. Sugiyama (Toshiba Corporation) T. Inokuchi (Toshiba Corporation) K. Koi (Toshiba Corporation) M. Ishikawa (Toshiba Corporation) K. Ikegami (Toshiba Corporation) A. Kurobe (Toshiba Corporation)
저널정보
한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.23 No.4
발행연도
2018.12
수록면
639 - 643 (5page)
DOI
10.4283/JMAG.2018.23.4.639

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A voltage-control spintronics memory (VoCSM) which has a potential of low energy consumption uses the spin-Hall effect (SHE) and the voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA) effect for its write operation. In this work, the relationship between the critical switching current (Ic<SUB>sw</SUB>) and the SHE electrode thickness (t<SUB>N</SUB>) is investigated in the range of 5 nm < t<SUB>N</SUB> < 8 nm. In the fabrication process, we develop highly-selective patterning process to stop MTJ etching precisely on the surface of the SHE electrode. Using the technique, Ic<SUB>sw</SUB> is reduced by half as t<SUB>N</SUB> is varied from 8 nm to 5 nm, and Ic<SUB>sw</SUB> of 112 mA at 20 ns write current pulse is obtained for MTJ size of 50 × 150 nm2 on Ta(2 nm)/TaB (3 nm) electrode. The results indicate that the decrease in the SHE electrode thickness is a promised method to reduce Ic<SUB>sw</SUB>, which leads VoCSM to a low-energy-consumption device.
#MRAM #critical switching current #spin-Hall effect #spin-orbit torque #VoCSM

목차

1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - H. Yoda / 2016 / / IEDM Tech. Dig : 2761 ~ 2764 google schola [학술지(정기간행물)] - T. Inokuchi / 2017 / / Appl. Phys. Lett 110 : 252404 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - T. Maruyama / 2009 / / Nature Nanotechnology 4 : 158 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - Luqiao Liu / 2012 / / Science 336 : 555 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - S. Shirotori / 2017 / / IEEE. Trans. Magn 53 : 3401104 ~ google schola

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