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저자정보
Jieun Oh (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Seokju Han (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 IEIE Transactions on Smart Processing & Computing IEIE Transactions on Smart Processing & Computing Vol.7 No.6
발행연도
2018.12
수록면
496 - 504 (9page)
DOI
10.5573/IEIESPC.2018.7.6.496

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Emerging three-dimensional (3D) NAND flash memory devices support new input/output (I/O) modes in which devices can program/read multiple pages sharing a common word line at the same operating time. The new I/O modes enable error-control systems to apply non-binary coding techniques, which are known to achieve capacity-approaching performance in a high signal-to-noise ratio (SNR) regime in conjunction with high-order modulations for NAND storage devices. This paper compares the performance of a number of multi-level-coding/multistage-decoding (MLC/MSD) schemes for NAND flash memory applications. By applying MLC/MSD techniques, it is possible to minimize the code rate loss caused by using the same code designed for the bit level of a page with the highest error rate equal to the remaining bit level of the pages. One considered scheme is an MLC/MSD method applied to 1D and 2D constellations with Bose-Chaudhuri-Hocquenghem (BCH) component codes. Another scheme compared is a special trellis-coded modulation (TCM) method with extra-strong error correction applied to subset labeling bits via Reed-Solomon (RS) code concatenation. In this paper, a new performance analysis method based on semi-analytical block-multinomial modeling is proposed to provide a simpler way to handle correlated error in TCM output. The analytical error rate results and semi-analytical error rate results based on the block multinomial model with the TCM scheme all indicate significant performance advantages from MLC/MSD schemes relative to the baseline BCH coding method.
#Channel coding #Error correction codes #Flash memory

목차

Abstract
1. Introduction
2. Multi-level Coding Scheme
3. RS-enhanced TCM Schemes
4. Performance Comparisons
5. Conclusion
References

참고문헌 (35)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - M. Kryder / 2009 / After hard drives-What comes next? / Magnetics, IEEE Transactions on 45 (10) : 3406 ~ 3413 google schola [단행본] - H.-T. Lue / 2015 / Charge-Trapping Non-Volatile Memories Vol. 1-Basic and Advanced Devices / Springer International Publishing google schola [학술지(정기간행물)] - D. Park / 2011 / Floating-gate coupling canceller for multi-level cell NAND flash / Magnetics, IEEE Transactions on 47 (3) : 624 ~ 628 google schola [학술지(정기간행물)] - T. Kim / 2013 / Cell-tocell interference compensation schemes using reduced symbol pattern of interfering cells for MLC NAND flash memory / Magnetics, IEEE Transactions on 49 (6) : 2569 ~ 2573 google schola [학술지(정기간행물)] - J. Kim / 2014 / Rate-0.96 LDPC decoding VLSI for soft-decision error correction of NAND flash memory / Very Large Scale Integration (VLSI)Systems, IEEE Transactions on 22 (5) : 1004 ~ 1015 google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-569-000333309