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저자정보
Wen Zhang (The University of Tennessee) Fred Wang (The University of Tennessee) Zheyu Zhang (GE Global Research) Bernhard Holzinger (Keysight Technologies)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
370 - 375 (6page)

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A fast and reliable overcurrent protection scheme is crucial for the converter reliability. It is also critical for double pulse test stations where newer devices or even engineering samples are tested, and device failures can be costly. A fast overcurrent protection scheme using the direct current measurement in the double pulse test is demonstrated and 7.55 ns fault response delay time is achieved. The total fault clearing time is determined by the fault signal propagation and device switching speed. Around 100 ns and 60 ns fault clearing time is achieved for SiC and GaN devices, respectively. The much faster protection can potentially simplify the gate driver design and reduce the energy rating of the coaxial shunt resistor. Since the overcurrent detection is directly attached to the current measurement, its impact on the measurement bandwidth is also discussed.
#current measurement #short-circuit protection #wide-bandgap semiconductors

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. HARDWARE DESIGN AND IMPLEMENTATION
III. EXPERIMENTAL VERIFICATION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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