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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 1,251 - 1,256 (6page)
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본 논문은 비정질 규소막 성장의 공정 조건이 저장 전극의 표면에 HSG-Si를 형성할 때 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 비정질 규소막의 인 농도가 5.5±0.1E19 atoms/㎤ 이상이면 HSG-Si가 제대로 형성되지 않는 인농도 의존성을 나타내었다. 또한 HSG 두께가 500Å 이상에서는 전극과 전극을 단락시키는 비트 불량을 유발하기 때문에 비정질 규소막의 인농도는 4.5E19 atoms/㎤, HSG 임계 두께는 450Å이 최적 조건임을 확인하였다.
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A. Sakai / 1993 / Growth kinetics of Si hemispherical grains on clean amorphous Si surfaces / J. of Vacuum Science 11 (6) : 2950 ~ 2953
H. Watanabe / 1992 / A new cylindrical capacitor using hemispherical grained Si for 256Mb DRAMs / IEEE Electron Devices meeting, IEDM 92 : 259 ~ 262
H. Watanabe / 1992 / Hemispherical grain silicon for high density DRAMs / Solid State Technology 35 (7) : 29 ~ 33
H. Watanabe / 1995 / Hemispherical grained Si formation on in-situ phosphorus doped amorphous-Si electrode for 256Mb DRAMs capacitor / IEEE. Trans. Electron Devices 42 (7) :
N. Matsuo / 1991 / The oxide nitride oxide film deposition on the tunnel-structured polycrystalline silicon (polysilicon) electrodes for high-density dRAMs / J. Appl. Phys. 7
H. Watanabe / 1992 / A new cylindrical capacitor using hemispherical grained Si for 256Mb DRAMs / IEEE Electron Devices meeting, IEDM 92 : 259 ~ 262
H. Watanabe / 1992 / Hemispherical grain silicon for high density DRAMs / Solid State Technology 35 (7) : 29 ~ 33
H. Watanabe / 1995 / Hemispherical grained Si formation on in-situ phosphorus doped amorphous-Si electrode for 256Mb DRAMs capacitor / IEEE. Trans. Electron Devices 42 (7) :
N. Matsuo / 1991 / The oxide nitride oxide film deposition on the tunnel-structured polycrystalline silicon (polysilicon) electrodes for high-density dRAMs / J. Appl. Phys. 7
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