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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 213 - 217 (5page)
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GaN는 대표적인 III-V족 질화물반도체로 주로 값싸고 다루기 쉬운 사파이어 기판 위에 성장된다. 하지만 사파이어 기판은 부도체이며, GaN과의 격자부정합을 일으키고 열전도도 또한 낮은 기판으로 알려져 있다. 본 논문에서는 방열기능과 열·전기전도도가 뛰어난 금속 화합물 탄소체 기판 위에 poly GaN epilayer를 HVPE법으로 성장시켜보았다. 비정질의 금속 화합물 탄소체 기판위에 성장되는 GaN epilayer의 성장메카니즘을 관찰하였다. GaN epilayer의 성장을 위해 HCl과NH3를 흘려주었다. 성장하기 위해 source zone과 growth zone의 온도는 각각 850oC와 1090oC로 설정했다. 성장이 끝난 샘플은 SEM, EDS, XRD측정을 통해 분석하였다.
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참고문헌 (15)
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A. Koukitu / 2007 / HVPE growth of AlxGa1 ? xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl / J. Cryst. Growth 305 : 335 ~
B. Luo / 2002 / Comparison of ohmic contact properties on n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC heterojunctions / Solid-State Electron 46 : 1345 ~
F. Yun / 2000 / Electrical, structural, and optical characterization of free-standing GaN template grown by hydride vapor phase epitaxy / Solid-State Electron 44 : 2225 ~
H.H. Cheng / 2012 / Heat dissipation design and analysis of high power LED array using the finite element method / Microelectron. Reliab 52 : 905 ~
H.H. Wu / 2012 / A study on the heat dissipation of high power multi-chip COB LEDs / Microelectr. J 43 : 280 ~
B. Luo / 2002 / Comparison of ohmic contact properties on n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC heterojunctions / Solid-State Electron 46 : 1345 ~
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H.H. Cheng / 2012 / Heat dissipation design and analysis of high power LED array using the finite element method / Microelectron. Reliab 52 : 905 ~
H.H. Wu / 2012 / A study on the heat dissipation of high power multi-chip COB LEDs / Microelectr. J 43 : 280 ~
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