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고감도 적외선 이미지 센서에 적용이 가능한 우수한 TCR(temperature coefficient of resistance) 값을 갖고 적외선파장영역에서 흡수 특성을 갖는 막 형성을 위해, 본 연구에서는 Silica와 Titanium 분말을 혼합비율을 달리하여 준비한 후열 기상 증착기를 이용하여 상온에서 게르마늄과 유리 기판 위에 각각 (SiO2)x-(Ti)y 막을 제작하였다. 챔버 내에 위치한 혼합분말이 담겨진 텅스텐 보트와 기판 간의 거리는 15.5 cm이며, 사용된 SiO2와 Ti 분말의 혼합비율 x : y는 각각 90 : 10,80 : 20, 70 : 30, 60 : 40이다. (SiO2)x-(Ti)y 막의 전기적 저항은 273~333 K 영역에서 온도 변화에 따라 측정하였으며, TCR 값은 측정된 막의 저항 값으로부터 계산되었다. 다양한 혼합비율 조건 하에서 형성된 (SiO2)x-(Ti)y 막은 수 kΩ~수백 kΩ의 저항특성을 보였으며, 이러한 막의 TCR은 −1.4~−2.6 %K−1의 다양한 값을 나타내었다.
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참고문헌 (14)
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C. Chen / 2001 / Linear uncooled microbolometer array based on VOx thin films / Infrared Phys. Technol 42 : 87 ~
D. Grbovic / 2006 / Uncooled infrared imaging using bimaterial microcantilever arrays / Appl Phys. Lett 89 : 073118 ~
E.V. Michailovskaya / 2003 / Inhomogeneous SiOx<Fe> metal-dielectric films as a material for infrared thermal radiation detectors / Technical Physics 48 (2) : 261 ~
J.D. Vinent / 1990 / Fundamentals of infrared detector operation and testing / Wiley
J.E. Morris / 1972 / Structure and electrical properties of Au-SiO thin film cermets / Thin Solid Films 11 : 299 ~
D. Grbovic / 2006 / Uncooled infrared imaging using bimaterial microcantilever arrays / Appl Phys. Lett 89 : 073118 ~
E.V. Michailovskaya / 2003 / Inhomogeneous SiOx<Fe> metal-dielectric films as a material for infrared thermal radiation detectors / Technical Physics 48 (2) : 261 ~
J.D. Vinent / 1990 / Fundamentals of infrared detector operation and testing / Wiley
J.E. Morris / 1972 / Structure and electrical properties of Au-SiO thin film cermets / Thin Solid Films 11 : 299 ~
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