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본 연구에서는 비정질 실리콘의 알루미늄 유도 결정화(AIC)가 시도되었다. 결정질 실리콘의 좀 더 큰 입자를얻기 위해, 선택적인 핵생성(Selective nucleation) 시도는 비정질 실리콘 밑의 실리카(SiO2) 층의 습식 파우더 분사 처리와함께 진행됐다. 또한 니켈 층은 실리콘 원자가 알루미늄 층으로 이동하는 것을 방지하기 위한 확산 방지막(Diffusion barrier)으로 선택되었다. 520oC에서 열처리를 한 후에 XRD 분석을 통해 Si(111) 방향으로 결정화된 결정질 실리콘을 확인했고 니켈은 실리콘과 알루미늄 사이의 확산 방지막으로 매우 효과적인 재료라는 것을 입증하였다. 이 연구는 고성능의 태양전지에 적용하는 결정질 실리콘 막의 좀 더 큰 입자를 얻기 위한 방법 중의 하나라고 기대된다.
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참고문헌 (13)
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A. Eyer / 2004 / A zone melting recrystallisation (zmr) processor for 400 mm wide samples / 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference : 7 ~ 11
Bo, N. Yao / 2002 / Large-grain polycrystalline silicon films with low intragranular defect density by low-temperature solid-phase crystallization without underlying oxide /
D. Van Gestel / 2011 / Metal induced crystallization of amorphous silicon for photovoltaic solar cells / Physics Procedia 11 : 196 ~
Hongkun Cai / 2009 / Study on diffusion barrier layer of silicon-based thin-film solar cells on polyimide substrate / Sol. En. Mat. Sol. Cel 93 : 1959 ~
I. Gordon / 2008 / Fabrication and characterization of highly efficient thin-film polycrystalline-silicon solar cells based on aluminum-induced crystallization / Thin Solid
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