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한국분말야금학회 한국분말야금학회지 한국분말야금학회지 제20권 제2호
발행연도
2013.1
수록면
114 - 119 (6page)

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In the DBC (direct bonding of copper) process the oxygen partial pressure surrounding the AlN/Cu bonding pairs has been controlled by Ar gas mixed with oxygen. However, the direct bonding of Cu with sound interface and good adhesion strength is complicated process due to the difficulty in the exact control of oxygen partial pressure by using Ar gas. In this study, we have utilized the in-situ equilibrium established during the reaction of 2CuO → Cu2O + 1/2 O2 by placing powder bed of CuO or Cu2O around the Cu/AlN bonding pair at 1065~1085oC. The adhesion strength was relatively better in case of using CuO powder than when Cu2O powder was used. Microstructural analysis by optical microscopy and XRD revealed that the interface of bonding pair was composed of Cu2O, Cu and small amount of CuO phase. Thus, it is explained that the good adhesion between Cu and AlN is attributed to the wetting of eutectic liquid formed by reaction of Cu and Cu2O.

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