4-point bending test system을 이용한 Cu-Cu 열 압착 접합 특성 평가

김재원; 김광섭; 이학주; 김희연; 박영배; 현승민

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김재원 김광섭 이학주 김희연 박영배 현승민

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제18권 제4호

발행연도: 2011.1

수록면: 11 - 18 (8page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2011

Cu-Cu 열압착 접합의 접합 온도 및 표면 전처리의 영향

김재원 , 김광섭 , 김경식 외 4명 대한기계학회 춘추학술대회 2011.04 학술대회자료

4-point bending test system을 이용한 Cu-Cu 열 압착 접합 특성 평가

김재원 , 김광섭 , 이학주 외 3명 마이크로전자 및 패키징학회지 2011.01 학술저널

2010

Cu 두께에 따른 Cu-Cu 열 압착 웨이퍼 접합부의 접합 특성 평가

김재원 , 정명혁 , E 외 8명 마이크로전자 및 패키징학회지 2010.01 학술저널

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3차원 칩 적층 접합에 사용하기 위한 Cu-Cu 금속 저온 접합 공정을 위하여 접합 온도 및 플라즈마 표면 전처리에 따른 열 압착 접합을 수행 하였다. 4점굽힘시험과 CCD 카메라를 이용하여 Cu 접합부의 정량적인 계면접착에너지를 평가하였다. 접합 온도 250℃, 300℃, 350℃에서 각각 1.38±1.06(상한값), 7.91±0.27(하한값), 10.36±1.01(하한값) J/m² 으로 접합온도 300℃ 이상에서 계면접착에너지 5 J/m² 이상의 값을 얻었다. 접합 온도 300℃ 이하 낮은 온도에서 접합하기 위해 Cu-Cu 열 압착 접합 전 Ar+H₂ 플라즈마로 200℃에서 2분간 표면 전처리 후 250℃ 조건에서 열 압착 접합할 경우 계면접착에너지 값이 6.59±0.03(하한값) J/m²로 표면 전 처리하지 않은 시험편에 비해 접합 특성이 크게 증가 하였다.

#Adhesion #4-point bending test #3-D Chip stacking #Bonding temperature effect #Ar-H₂plasma pre-treatment.

참고문헌 (22)

참고문헌 신청

B. Lee / 2010 / A Study on the Bonding Process of Cu Bump/Sn/Cu Bump Bonding Structure for 3D Packaging Applications / JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 157 (4) : 420 ~

B. Lee / 2011 / Effects of Bonding Temperature and Pressure on the Electrical Resistance of Cu/Sn/Cu Joints for 3D Integration Applications / JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

C. Ryu / 2007 / Suppression of power/ground inductive impedance and simultaneous switching noise using silicon through-via in a 3-D stacked chip package / IEEE MICROWAVE AND

D. R. Frear / 1994 / The Mechanics of Solder Alloy Interconnects / Van Nostrand Reinhold

Eun-Jung Jang / 2011 / Annealing Temperature Effect on the Cu-Cu Bonding Energy for 3D-IC Integration / Metals and Materials International 17 (1) : 105 ~ 109