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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제18권 제3호
발행연도
2011.1
수록면
67 - 74 (8page)

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Keys to high wiring density semiconductor packages include flip-chip bonding and build-up substrate technologies. The current issues are the establishment of a fine pitch flip-chip bonding technology and a low coefficient of thermal expansion (CTE) substrate technology. In particular, electromigration and thermomigration in fine pitch flipchip joints have been recognized as a major reliability issue. In this paper, electromigration and thermomigration in Cu/Sn-3Ag-0.5Cu (SAC305) /Cu flip-chip joints and electromigration in Cu/In/Cu flip chip joints are investigated. In the electromigration test, a large electromigration void nucleation at the cathode, large growth of intermetallic compounds (IMCs) at the anode, a unique solder bump deformation towards the cathode, and the significantly prolonged electromigration lifetime with the underfill were observed in both types of joints. In addition, the effects of crystallographic orientation of Sn on electromigration were observed in the Cu/SAC305/Cu joints. In the thermomigration test, Cu dissolution was accelerated on the hot side, and formation of IMCs was enhanced on the cold side at a thermal gradient of about 60oC/cm, which was lower than previously reported. The rate of Cu atom migration was found comparable to that of electromigration under current conditions.
#EM #Flip-Chip #diffusion #reliability

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/ / International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 Edition google schola A.T. Huang / 2006 / Thermomigration in SnPb composite flip chip solder joints / Appl. Phys. Lett (88) : 141911 ~ google schola B. F. Dyson / 1966 / Diffusion of Gold and Silver in Tin Single Crystals / J. Appl. Phys (37) : 2375 ~ google schola B. F. Dyson / 1967 / Interstitial Diffusion of Copper in Tin / J. Appl. Phys (38) : 3408 ~ google schola E. D. Blackshear / 2005 / The evolution of build-up package technology and its design challenges / IBM J. Res. & Dev 49 (4/5) : 641 ~ google schola

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