Cu-Cu 패턴 직접접합을 위한 습식 용액에 따른 Cu 표면 식각 특성 평가

박종명; 김영래; 김성동; 김재원; 박영배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박종명 김영래 김성동 김재원 박영배

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제19권 제1호

발행연도: 2012.1

수록면: 39 - 45 (7page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2012

3차원 소자 적층을 위한 BOE 습식 식각에 따른 Cu-Cu 패턴 접합 특성 평가

박종명 , 김수형 , 김사라은경 외 1명 대한용접·접합학회지 2012.06 학술저널

Cu-Cu 패턴 직접접합을 위한 습식 용액에 따른 Cu 표면 식각 특성 평가

박종명 , 김영래 , 김성동 외 2명 마이크로전자 및 패키징학회지 2012.01 학술저널

2011

Cu-Cu Pattern 직접접합을 위한 습식 조건에 따른 Cu와 SiOsub{2} 식각 특성 평가

박종명 , 김영래 , 김성동 외 1명 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2011.10 학술대회자료

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Cu-Cu 패턴의 직접접합 공정을 위하여 Buffered Oxide Etch(BOE) 및 Hydrofluoric acid(HF)의 습식 조건에따른 Cu와 SiO2의 식각 특성에 대한 평가를 수행하였다. 접촉식 3차원측정기(3D-Profiler)를 이용하여 Cu와 SiO2의 단차및 Chemical Mechanical Polishing(CMP)에 의한 Cu의 dishing된 정도를 분석 하였다. 실험 결과 BOE 및 HF 습식 식각시간이 증가함에 따라 단차가 증가 하였고, BOE가 HF보다 더 식각 속도가 빠른 것을 확인하였다. BOE 및 HF 습식 식각 후 Cu의 dishing도 식각시간 증가에 따라 감소하였다. 식각 후 산화막 유무를 알아보기 위해 Cu표면을 X-선 광전자분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)를 이용하여 분석 한 결과 HF습식 식각 후 BOE습식 식각보다 Cu표면산화막이 상대적으로 더 얇아 진 것을 확인하였다.

#Wet etching #Silicon oxide etching #Cu-Cu pattern #CMP dishing #XPS depth profile

참고문헌 (21)

참고문헌 신청

A.G. Andreou / / Wet Etching, 520/530/580.495 Microfabrication Laboratory and 520.773 Advanced Topics in Fabrication and Microengineering

C. S. Tan / 2005 / Observation of interfacial void formation in bonded copper layers / Applied Physics Letters 87

D. P.R. Thanu / 2009 / Dilute HF Solutions for Copper Cleaning during BEOL Processes: Effect of Aeration on Selectivity and Copper Corrosion / Journal of The Electrochemical

D. William / 2011 / Materials Science and Engineering, 8th Ed. / WILEY : 102 ~ 104

E. J. Jang / 2009 / Effect of Wet Pretreatment on Interfacial Adhesion Energy of Cu-Cu Thermocompression Bond for 3D IC Packages / JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 38 : 2449