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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 67 - 71 (5page)
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본 연구에서는 Si(111) 기판을 이용하여 고품질의 GaN 박막을 성장하기 위하여 다양한 패턴을 갖는Si 기판을제작하였다. Si(111) 기판위에 이온 스퍼터(ion-sputter)를 이용하여 Pt 박막을 증착한 후 열처리(thermal annealing)하여 Pt금속 마스크를 형성하고 유도 결합 플라즈마 이온 식각(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 공정을통하여 기둥(pillar)형태의 나노 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였고 리소그래피 공정을 통하여 마이크로 패턴된 Si(111) 기판을 제작하였다. 일반적인 Si(111) 기판, 마이크로 패턴된 Si(111) 기판 및 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 방법으로 GaN 박막을 성장하여 표면 특성과 결정성 및 광학적 특성을 분석하였다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막은 일반적인Si(111) 기판과 마이크로 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막보다 표면의 균열과 거칠기가 개선되었다. 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN (002)면과(102)면에 x-선 회절(x-ray diffraction, XRD) 피크의 반폭치(full width at half maximum, FWHM)는 576 arcsec, 828 arcsec으로다른 두 기판위에 성장한 GaN 박막 보다 가장 낮은 값을 보여 결정성이 향상되었음을 확인하였다. Photoluminescence(PL)의반폭치는 나노 패턴된 Si(111) 기판위에 성장한 GaN 박막이 46.5 meV으로 다른 기판위에 성장한 GaN 박막과 비교하여광학적 특성이 향상되었음을 확인하였다.
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참고문헌 (22)
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A. Dadgar / 2003 / MOVPE growth of GaN on Si(111) substrates / J. Cryst. Growth 248 : 556 ~
A. Dadgar / 2011 / Crack-Free, Highly Conducting GaN layers on Si Substrates by Ge Doping / Appl. Phys. Ex. 4 : 011001 ~
A. Reiher / 2003 / Efficient stress relief in GaN heteroepitaxy on Si(111) using lowtemperature AlN interlayers / J. Cryst. Growth 248 : 563 ~
C. C. Huang / 2011 / Single Crystalline GaN Epitaxial Layer Prepared on Nano-patterned Si(001) Substrate / J. Electrochem. Soc 158 (6) : H626 ~
H. Ishikawa / 1999 / GaN on Si substrate with AlGaN/AIN Intermediate Layer / Jpn. J. Appl. Phys. 38 (5A) : L492 ~
A. Dadgar / 2011 / Crack-Free, Highly Conducting GaN layers on Si Substrates by Ge Doping / Appl. Phys. Ex. 4 : 011001 ~
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C. C. Huang / 2011 / Single Crystalline GaN Epitaxial Layer Prepared on Nano-patterned Si(001) Substrate / J. Electrochem. Soc 158 (6) : H626 ~
H. Ishikawa / 1999 / GaN on Si substrate with AlGaN/AIN Intermediate Layer / Jpn. J. Appl. Phys. 38 (5A) : L492 ~
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