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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 71 - 78 (8page)
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본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 40 ± 1 dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.
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F. H. Raab / 2002 / Power amplifiers and transmitters for RF and microwave / IEEE Trans. Microw. Theory Tech 50 (3) : 814 ~ 826
P. Colantonio / 2000 / High efficiency low-voltage power amplifier design by second harmonic manipulation / Int. J. RF Microw. Comput.-Aided Eng 10 (1) : 19 ~ 32
P. Colantonio / 2003 / Theoretical fact and experimental results of harmonic tuned PAs / Int. J. RF Microw. Comput.-Aided Eng 13 (6) : 459 ~ 472
P. Wright / 2009 / A methodology for realizing high efficiency Class-J in a linear and broadband PA / IEEE Trans. Microw. Theory Tech 57 (12) : 3196 ~ 3204
P. Wright / 2009 / An efficient, linear, broadband class-J-mode PA realised using waveform engineering / IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig : 653 ~ 656
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P. Wright / 2009 / An efficient, linear, broadband class-J-mode PA realised using waveform engineering / IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig : 653 ~ 656
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