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나노구조를 갖는 물질들은 나노구조물이 갖는 고유의 체적 대비 높은 표면적 비와 양자 갇힘 효과에 기인하는 독특한 전기적, 광학적, 광전기적, 자기적 특성으로 인하여 많은 주목을 받아왔다. 열화학 기상 증착 공정은 나노구조물의 성장과정에서 다양한 구조를 갖는 나노소재의 합성 능력 때문에 더욱 주목을 받아왔다. 본 연구에서는 두 영역 열화학 기상 증착법과 소스 물질 TiO2 파우더를 이용하여 VLS 공정으로 Si\SiO2(300 nm)\Pt(5∼40 nm) 기판 위에 실리콘 옥사이드 나노와이어를 성장시켰다. 성장된 실리콘 옥사이드 나노와이어의 형상과 결정학적 특성을 전계방출 주사전자현미경과 투과전자현미경으로 분석하였다. 분석결과, 성장된 실리콘 옥사이드 나노와이어의 형상인 지름과 길이는 촉매 박막의 두께에 의존하여 다른 모양을 나타내었다. 또한 성장된 실리콘 옥사이드 나노와이어는 비정질 상을 갖는 것으로 분석되었다.
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참고문헌 (17)
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Alfredo M. Morales / 1998 / A Laser Ablation Method for the Synthesis of Crystalline Semiconductor Nanowires / Science 279 (5348) : 208 ~ 211
Brijesh Kumar / 2010 / General Route to Single-Crystalline SnO Nanosheets on Arbitrary Substrates / The Journal of Physical Chemistry C 114 (25) : 11050 ~ 11055
Cheng Hung Wang / 2007 / Facile Solution Route to Vertically Aligned, Selective Growth of ZnO Nanostructure Arrays / Langmuir 23 (24) : 11960 ~ 11963
Di Gao / 2005 / Selective Growth of Si Nanowire Arrays via Galvanic Displacement Processes in Water-in-Oil Microemulsions / Journal of the American Chemical Society 127 (13)
Fan Yang / 2010 / Joule Heating a Palladium Nanowire Sensor for Accelerated Response and Recovery to Hydrogen Gas / Small 6 (13) : 1422 ~ 1429
Brijesh Kumar / 2010 / General Route to Single-Crystalline SnO Nanosheets on Arbitrary Substrates / The Journal of Physical Chemistry C 114 (25) : 11050 ~ 11055
Cheng Hung Wang / 2007 / Facile Solution Route to Vertically Aligned, Selective Growth of ZnO Nanostructure Arrays / Langmuir 23 (24) : 11960 ~ 11963
Di Gao / 2005 / Selective Growth of Si Nanowire Arrays via Galvanic Displacement Processes in Water-in-Oil Microemulsions / Journal of the American Chemical Society 127 (13)
Fan Yang / 2010 / Joule Heating a Palladium Nanowire Sensor for Accelerated Response and Recovery to Hydrogen Gas / Small 6 (13) : 1422 ~ 1429
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