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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제15권 제8호
발행연도
2002.1
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The crystallization of amorphous α-Fe2O3/α-Al2O3(0001) thin films during thermal annealing in air has been studied using real-time synchrotron x-ray scattering. The well aligned (0.02o FWHM) α-Fe2O3 and Fe3O4 interfacial crystallites (50-Å-thick) coexist on the α-Al2O3(0001) in the sputter-grown amorphous films at room temperature. The amorphous precursor is crystallized to the epitaxial α-Fe2O3 grains in three steps with annealing temperature; ⅰ) the growth of the well aligned α-Fe2O3 interfacial crystallites, together with the transformation of the Fe3O4 crystallites to the α-Fe2O3 crystallites, ⅱ) the growth of the less aligned (3.08o FWHM) α-Fe2O3 grains on the well aligned grains (＞400℃), and ⅲ) the nucleation of the other less aligned (1.39o FWHM) α-Fe2O3 grains directly on the α-Al2O3 substrate (＞600℃). The effective thickness thinner than 230 Å may be very useful for enhancing the epitaxial quality of α-Fe2O3/α-Al2O3(0001) thin films.
#α-Fe2O3/α-Al2O3 #0001) thin films #crystallization #synchrotron x-ray scattering #r.f. magnetron sputtering

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