대기압 MOCVD 시스템을 이용하여 Si 기판 위에 자발적으로 형성된 InAs 양자점에 대한 연구

유충현

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자료유형: 학술저널

저자정보: 유충현

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제6호

발행연도: 2005.1

수록면: 527 - 531 (5page)

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Fully coherent self-assembled InAs quantum dots(QDs) grown on Si (100) substrates by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition(APMOCVD) were grown and the effect of growth conditions such as growth rate and growth time on quantum dots' morphology such as densities and sizes was investigated. InAs QDs of 30 - 80 ㎚ in diameters with densities in the range of (0.6 - 1.7) x 1010 ㎝-2 were achieved on Si substrates and InAs layer was changed from 2 dimensional growth to 3 dimensional one at a nominal thickness less than 0.48 ML. This is attributed to the higher ambient pressure of APMOCVD suppressing of In segregation from the 2 dimensional InAs layer. This In segregation looked to disturb the dot formation especially when the growth rate was low so that the dots became less dense and bigger as the growth rate was lower.

#Quantum dot #InAs #MOCVD #AFM #In segregation

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/ 1982. / Multi-dimensio -nal quantum well laser and temperature dependence of its threshold current 40 (11) : 939 ~

/ 1986. / Gain and threshold of three-dimensional quantum-box lasers 22 (9) : 1915 ~

/ 1989. / Organometallic Vapor- phase Epitaxy, 2nd ed orga (metallic vapor- phase epitaxy) : 209 ~

/ 1991. / GaAs tetrahedral quantum dot structures fabricated using selective area metalorganic chemical vapor deposition 58 (18) : 2018 ~

/ 1993. / In surface segregation and growth-mode transition during InGaAs growth by molecular-beam epitaxy 63 (6) : 821 ~

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